2.5G 2mW Bi-Isolator এবং TEC সহ ডিকম্পোনেন্ট

প্যারামিটার

প্রতীক

রেটিং

ইউনিট

নোট

বিপরীত ভোল্টেজ (LD)

Vr(LD)

2

V

সিডব্লিউ

ফরোয়ার্ড কারেন্ট (LD)

যদি (LD)

120

এমএ

সিডব্লিউ

বিপরীত ভোল্টেজ (MPD)

Vr(PD)

15

V

সিডব্লিউ

ফরোয়ার্ড কারেন্ট (MPD)

যদি (পিডি)

2

এমএ

সিডব্লিউ

স্টোরেজ তাপমাত্রা

Tstg

-40~ +85

ডিগ্রী

-

অপারেটিং তাপমাত্রা

টপার

-20~ +70

ডিগ্রী

-

লিড সোল্ডারিং তাপমাত্রা/সময়

টি.এস

260/10

ডিগ্রী / এস

-

ফাইবার ফলন শক্তি

-

1

কেজিএফ

-

ফাইবার বেন্ড ব্যাসার্ধ

-

30

মিমি

-

প্যারামিটার

প্রতীক

মিন

টাইপ

সর্বোচ্চ

ইউনিট

পরীক্ষার শর্ত

থ্রেশহোল্ড কারেন্ট

ইথ

3

15

এমএ

CW, T=25 ডিগ্রি

50

এমএ

CW, T=85 ডিগ্রি

ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ

ভোপ

1.2

1.5

V

অপটিক্যাল আউটপুট পাওয়ার

পো

2.1

3.0

mW

CW, যদি=30mA

কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য

λc

1607

1610

1613

nm

CW, Po= Pf

উত্থানের সময়/পতনের সময়
(20-80%)

Tr/Tf

0.2

0.5

এনএস

যদি=Ith,Po=Pf, 50 Ohm

বর্তমান মনিটর

আমি

100

1000

uA

CW,Po= Pf

ক্যাপাসিট্যান্স

সিপিডি

10

15

পিএফ

VRD=5V,F=1MHz

ডার্ক কারেন্ট

আইডি

100

nA

ভিআরডি=5ভি

বর্ণালী প্রস্থ (RMS-20dB)

△λ

0.32

0.5

nm

CW, যদি=30mA

ব্যান্ডউইথ

BW

2

GHz

ঢাল দক্ষতা

এসই

0.09

W/A

CW যদি=Ith+20mA

ট্র্যাকিং ত্রুটি৷

টি.ই

-1.5

1.5

dB

CW, আমি=ধ্রুবক এবং
যদি=এটি+20mA

আলাদা করা

আইএসও

30

dB

সাইড মোড দমন
রেশন

এসএমএসআর

30

40

dB

CW, যদি=Ith+20mA

টিইসি

Qmax

0.6

W

আইম্যাক্স

0.9

A

Vmax

1.2

V

T

40

K

থার্মিস্টর প্রতিরোধ

আরথ

9.9

kΩ

আপেক্ষিক তীব্রতা গোলমাল

RIN

-134

dB/Hz

প্যারামিটার

প্রতীক

মিন

টাইপ

সর্বোচ্চ

ইউনিট

পরীক্ষার শর্ত

সনাক্তকরণ পরিসীমা
Iso(1525&1575>20dB)

λ

1540

1550

1560

nm

দায়বদ্ধতা

Res

0.80

0.85

A/W

VR=5V,λ=1550 nm

অন্ধকার স্রোত

আইডি

1.0

nA

VR=5V,25 ডিগ্রি

ব্যান্ডউইথ (-3dB)

BW

2.0

GHz

50 ওহম ম্যাচিং

স্যাচুরেশন শক্তি

P

3

dBm

ক্যাপাসিট্যান্স

C

-

0.6

1.0

পিএফ

VR=5V

উত্থান এবং পতনের সময়

Tr/Tf

-

0.1

-

এনএস

আরএল=50Ω

IMD2

IMD2

-

-70

-

dBc

λ=1550 nm, (1*)

IMD3

IMD3

-

-80

-

dBc

λ=1550nm, (1*)

বিপরীত ভোল্টেজ

ভিআর

-

-

30

V

রিটার্ন লস

আরএল

40

-

-

dB

λ=1550nm

-X

-X

X

X

X

-X

X

-X

X

R

সংযোগকারী টাইপ করুন

এলডি
টাইপ

ট্রান্সমিটার
তরঙ্গদৈর্ঘ্য

শক্তি

এলডি
অ্যাসাইনমেন্ট

রিসিভার
তরঙ্গদৈর্ঘ্য

পিডি
অ্যাসাইনমেন্ট

তারিখের হার

বিচ্ছিন্নকারী

A&V ROHS

F:FC/UPC
S:SC/UPC
টি:এসটি/পিসি
এফএ:এফসি/এপিসি
SA:SC/APC

ডি:ডিএফবি
F:FP

29:1290nm
31:1310nm
33:1330nm
45:1450nm
47:1470nm
61:1610nm
অন্যরা

20:2.0mW
30:3.0mW
অন্যরা

A: টাইপ A
বি: টাইপ বি
অন্যরা

31:1310nm
55:1550nm
অন্যরা

বি: টাইপ বি
F: টাইপ F
SPT:সুপার{{0}TIA

2:2.5Gb/s

জি: আইসোলেটর
না: কিছুই না

আর: পাস ROHS